题目
题型:不详难度:来源:
(1)元素G在周期中的位置是 ;元素F所形成的常见单质的电子式为 。
(2)A、B、C、E的氢化物稳定性顺序是 。(用化学式回答)
(3)分子组成为ACH2的物质在水中会强烈水解,产生使品红溶液褪色的无色气体和一种强酸。该反应的化学方程式是 。
(4)请写出B的单质的一种重要用途 ;工业上制取该单质的原理反应为 。
(5)请设计一个实验方案,使铜和A的最高价氧化物对应的水化物的稀溶液反应,得到蓝色溶液和氢气。请在方框内绘出该实验方案原理装置示意图。
答案
(3)SOCl2+H2O=2HC+SO2↑(2分)
(4)半导体材料、制造合金、光电池等合理答案(1分);SiO2+2CSi+2CO↑(2分)
(5)(2分)
解析
试题分析:根据元素的主要化合价和原子半径的递变规律可知,元素A~H分别是S、Si、O、P、F、N、C、Cl。
(1)元素G是C元素,在周期中的位置是第二周期第ⅣA族;元素F所形成的常见单质是氮气,其电子式为。
(2)非金属性越强,氢化物的稳定性越强。同周期自左向右非金属性逐渐增强,同主族自上而下非金属性逐渐减弱, A、B、C、E的非金属性强弱顺序是F>O>S>Si,所以其氢化物稳定性顺序是HF>H2O>H2S>SiH4。
(3)分子组成为ACH2的物质是SOCl2,在水中会强烈水解,产生使品红溶液褪色的无色气体和一种强酸,所以该气体是SO2。根据原子守恒可知,强酸应该是盐酸,所以该反应的化学方程式是SOCl2+H2O=2HC+SO2↑。
(4)硅单质的一种重要用途半导体材料、制造合金、光电池等;工业上制取该单质的原理反应为SiO2+2CSi+2CO↑。
(5)铜不能和稀硫酸反应生成氢气和硫酸铜,因此要使该反应进行,则应该借助于电解原理。其中铜和电源的正极相连,作阳极,电解质溶液是稀硫酸。氢离子在阴极放电生成氢气,所以该装置图是。
核心考点
举一反三
A.光导纤维的主要成分是二氧化硅 | B.二氧化硅可以和水直接反应来制取硅酸 |
C.硅可用作太阳能电池 | D.硅酸钠是制备硅胶和木材防火剂等的原料 |
(1)焦炭在过程Ⅰ中作______剂。
(2)过程Ⅱ中的Cl2用电解饱和食盐水制备,制备Cl2的化学方程式是 。
(3)整个制备过程必须严格控制无水。
①SiCl4遇水剧烈水解生成SiO2和一种酸,反应的化学方程式是 。
②干燥Cl2时,从有利于充分干燥和操作安全的角度考虑,需将约90℃的潮湿氯气先冷却至12℃,然后再通入到浓H2SO4中。冷却的作用是 。
(4)Zn还原SiCl4的反应如下:
反应1: 400℃~756℃ ,SiCl4(g) + 2Zn(l) Si(s) + 2ZnCl2(l) ΔH1 <0
反应2: 756℃~907℃ ,SiCl4(g) + 2Zn(l) Si(s) + 2ZnCl2(g) ΔH2 <0
反应3: 907℃~1410℃,SiCl4(g) + 2Zn(g) Si(s) + 2ZnCl2(g) ΔH3 <0
① 对于上述三个反应,下列说法合理的是_____。
a.升高温度会提高SiCl4的转化率 b.还原过程需在无氧的气氛中进行
c.增大压强能提高反应的速率 d.Na、Mg可以代替Zn还原SiCl4
② 实际制备过程选择“反应3”,选择的理由是 。
③ 已知Zn(l)=Zn(g) ΔH =" +116" KJ/mol 。若SiCl4的转化率均为90%,每投入1mol SiCl4,“反应3”比“反应2”多放出_____kJ的热量。
(5)用硅制作太阳能电池时,为减弱光在硅表面的反射,采用化学腐蚀法在其表面形成粗糙的多孔硅层。腐蚀剂常用稀HNO3和HF的混合液。硅表面首先形成SiO2,最后转化为H2SiF6。用化学方程式表示SiO2转化为H2SiF6的过程 。
A.H2CO3比H2SiO3受热易分解 |
B.高温下能发生反应Na2CO3+SiO2Na2SiO3+CO2↑ |
C.CO2能溶于水生成碳酸,而SiO2却不溶于水 |
D.CO2通入Na2SiO3溶液中有胶状沉淀生成 |
3SiCl4 +2N2 +6H2Si3N4 +12HCl
完成下列填空:
(1)氮化硅可用于制造发动机的耐热部件,因为它属于 晶体。有关氮化硅的上述反应中,原子最外层只有一个未成对电子的元素是 (填写元素符号);属于非极性分子的化合物的电子式是 。
(2)比较Si和Cl两种元素非金属性强弱的方法是 。
a.比较两种元素的气态氢化物的沸点
b.比较两种元素的原子获得一个电子时释放能量的大小
c.比较两种元素的原子达到稳定结构获得电子的多少
d.比较相同条件下两种元素氢化物水溶液的酸性强弱
(3)Si与Al、Be具有相似的化学性质,因为 (简述理由),写出Si与强碱溶液反应的离子反应方程式: 。
A.Na2SiO3 | B.CaCl2 | C.NaAlO2 | D.饱和Na2CO3 |
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