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题目
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第三周期元素X,它的原子核外最外层实现8电子稳定结构所需的电子数小于次外层和最内层的电子数之差,且等于最内层电子数的整数倍.下列说法正确的是(  )
A.X元素最高价氧化物对应的水化物一定是强酸
B.X元素的氢化物的化学式一定为H2X
C.X元素在常温下稳定存在的氧化物一定能与烧碱反应
D.X的单质一定不是良好的半导体材料
答案
第三周期元素X,有3个电子层,次外层和最内层的电子数之差为8-2=6,它的原子核外最外层实现8电子稳定结构所需的电子数小于6,且等于最内层电子数的整数倍,则X元素原子核外最外层实现8电子稳定结构所需的电子数为2或4,若为2,则X为硫元素,符合题意;若为4,则X为硅元素,符合题意.
A、Si元素最高价氧化物对应的水化物是硅酸,酸性比碳酸弱,属于弱酸,故A错误;
B、Si元素的氢化物的化学式为SiH4等,具有和烃类似的物质,故B错误;
C、Si元素在常温下稳定存在的氧化物为二氧化硅,二氧化硅能与烧碱反应生成硅酸钠,三氧化硫、二氧化硫都能与烧碱反应,故C正确;
D、硅单质是良好的半导体材料,故D错误.
故选:C.
核心考点
试题【第三周期元素X,它的原子核外最外层实现8电子稳定结构所需的电子数小于次外层和最内层的电子数之差,且等于最内层电子数的整数倍.下列说法正确的是(  )A.X元素最】;主要考察你对原子核外电子的排布式等知识点的理解。[详细]
举一反三
某元素最高正价与负价的绝对值之差为4,该元素的离子与跟其核外电子排布相同的离子形成的化合物是(  )
A.K2SB.MgOC.MgSD.NaF
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U、V、W、X、Y、Z六种原子序数依次增大前20号元素,其中U和X,W和Y分别在同一主族,Y的原子序数是W的原子序数两倍,Z的原子序数是U和X的原子序数之和.根据以上条件回答下列问题:
(1)写出U、V组成的阴离子(U、V都满足8电子稳定结构)和Z的阳离子形成的化合物的电子式:______;
(2)W元素可分别U、Y形成多种常见的阴离子.某溶液是由其中若干种阴离子组成的无机钠盐溶液,为了检验该溶液中的阴离子,分别取两份溶液进行如下实验:
①第一份溶液中加入足量盐酸溶液,只产生无色气体;
②第二份溶液中加入足量的BaCl2溶液,有白色沉淀产生,再加入足量的稀HNO3,白色沉淀质量减少.
由此得出的结论是______.
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已知四种短周期元素的离子:aA2+bB+cC3-dD-都具有相同电子层结构,则下列叙述正确的是(  )
A.原子半径A>B>D>C
B.原子序数a>b>d>c
C.离子半径C3->D->B+>A2+
D.单质的还原性A>B>D>C
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已知X+、Y2+、Z-、W2-四种离子均具有相同的电子层结构.下列关于X、Y、Z、W四种元素的描述,不正确的是(  )
A.原子半径:X>Y>Z>W
B.原子序数:Y>X>Z>W
C.原子最外层电子数:Z>W>Y>X
D.金属性:X>Y
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A、B、C三种元素的原子具有相同的电子层数,而B的核电荷数比A大2,C原子的电子总数比B原子电子总数多4.1molA单质跟盐酸反应可置换出11.2L(标准状况下)氢气,这时A转变成与氖原子具有相同电子层结构的离子.试回答:
(1)A是______元素,B是______元素,C是______元素.
(2)写出A元素的单质在氧气燃烧时生成物的电子式:______.
(3)写出由A元素和C元素组成化合物的形成过程:______.
(4)分别写出A、B最高价氧化物对应水化物分别跟C的气态氢化物水溶液反应的离子方程式:______.
(5)A离子的氧化性比B离子的氧化性______,这是由于______.
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