题目
题型：专项题难度：来源：
(1)dc边刚进入磁场时，线框受安培力的大小F；
(2)dc边刚进入磁场时，线框速度的大小v；
(3)在线框从开始下落到ab边刚进入磁场的过程中，重力做的功W。
答案
（2）线框dc边刚进入磁场时，则
感应电动势E＝BL1v
感应电流I＝
dc边受安培力的大小F＝BIL1
又F＝mg
解得线框速度的大小v＝
（3）在线框从开始下落到dc边刚进入磁场的过程中，重力做功W1，根据动能定理得
W1＝
mv2在线框从dc边刚进入磁场到ab边刚进入磁场的过程中，重力做功W2，则
W2＝mgL2
所以W＝W1＋W2＝
＋mgL2核心考点
试题【如图所示，矩形单匝导线框abcd竖直放置，其下方有一磁感应强度为B的有界匀强磁场区域，该区域的上边界PP′水平，并与线框的ab边平行，磁场方向与线框平面垂直。已】；主要考察你对电磁感应等知识点的理解。[详细]
举一反三
棒质量的增加量与位移x的平方根成正比，即m＝k
，k为一常数，k＝0.1 kg·m
。(1)猜测金属棒下滑过程中做的是什么性质的运动，并加以证明。
(2)求金属棒下滑2m位移时速度为多大？
良好。t＝0时，将开关S由1掷到2。q、i、v和a分别表示电容器所带的电荷量、棒中的电流、棒的速度和加速度。下列图像正确的是
B、
C、
D、
B、
C、
D、
B．线圈克服安培力所做的功为2mgd
C．线圈的最小速度一定为
D．线圈的最小速度一定为
摩擦不计。整套装置处于匀强磁场中，磁场的磁感应强度为B，磁场方向垂直于斜面向上。整个装置处在真空室中，有一电荷量为＋q、质量为m的粒子(重力不计)，以速率v0从圆形磁场边界上的最低点E沿半径方向射入圆形磁场区域，最后从小孔O3射出。现释放导体棒ab，其沿着斜面下滑h后开始匀速运动，此时仍然从E点沿半径方向射入圆形磁场区域的相同粒子恰好不能从O3射出，而从圆形磁场的最高点F射出。求：(1)圆形磁场的磁感应强度B′。
(2)导体棒ab的质量M。
(3)导体棒ab下落h的整个过程中，导体棒ab克服安培力做的功为多少？
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