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题目
题型:不详难度:来源:
霍尔式位移传感器的测量原理如图所示,有一个沿z轴方向均匀变化的匀强磁场,磁感应强度B=B0+kz(B0、k均为常数)。将霍尔元件固定在物体上,保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如图9所示),当物体沿z轴正方向平移时,由于位置不同,霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同。则    (    )
A.磁感应强度B越大,上、下表面的电势差U越大
B.k越大,传感器灵敏度()越高
C.若图中霍尔元件是电子导电,则下板电势高
D.电流越大,上、下表面的电势差U越小

答案
AB
解析

试题分析:根据左手定则可判断电子向下板偏转,所以上板电势高;很据,解得U=Bdv,所以磁感应强度B越大,上、下表面的电势差U越大;电流越大,则电子定向移动的速率v越大,上、下表面的电势差U越大;由于B=B0+kz,所以U=(B0+kz )dv,所以,所以k越大,传感器灵敏度()越高。选项AB正确。
核心考点
试题【霍尔式位移传感器的测量原理如图所示,有一个沿z轴方向均匀变化的匀强磁场,磁感应强度B=B0+kz(B0、k均为常数)。将霍尔元件固定在物体上,保持通过霍尔元件的】;主要考察你对磁通量等知识点的理解。[详细]
举一反三
关于磁通量,下列叙述正确的是(   )
A.在匀强磁场中,穿过一个面的磁通量等于磁感应强度与该面面积的乘积
B.在匀强磁场中,a线圈的面积比b线圈的大,则穿过a线圈的磁通量一定比穿过b线圈的磁通量大
C.把一个线圈放在M、N两处,若放在M处时穿过线圈的磁通量比放在N处时大,则M处的磁感应强度一定比N处大
D.同一线圈放在磁感应强度大处,穿过线圈的磁通量不一定大

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如图所示,面积大小为S的矩形线圈abcd,放在磁感应强度为B的匀强磁场中,线圈可以绕O1O2转动。下列说法中正确的是(    )
A.当线圈在如图所示位置时,穿过线圈的磁通量大小Φ=BS
B.当线圈从图示位置转过900时,穿过线圈的磁通量大小Φ=0
C.当线圈从图示位置转过1800的过程中,穿过线圈的磁通量的变化量大小ΔΦ= 0
D.当线圈从图示位置转过3600的过程中,穿过线圈的磁通量的变化量大小ΔΦ="BS"

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如图所示,半径为R的圆形线圈,其中心位置处半径为r的虚线范围内有匀强磁场,磁场方向垂直线圈平面.若磁感应强度为B,则穿过线圈的磁通量为        

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如图所示,匀强磁场的磁感强度B=2.0T,指向x轴的正方向,且ab=40cm,bc=30cm,ae=50cm,通过面积S(aefd)的磁通量φ为(   )
A.0B.0.24Wb
C.0.18 WbD.0.3Wb

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如图甲所示,一个电阻为R,面积为S的矩形导线框abcd,磁场的磁感应强度为B,方向与ad边垂直并与线框平面成450角,o、oˊ分别是ab和cd边的中点。现将线框右半边obcoˊ绕ooˊ 逆时针90o到图乙所示位置。在这一过程中,导线中某个横截面通过的电荷量是   (    )
 
A.B.C.D.0

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