题目
题型:不详难度:来源:
A.磁感应强度B越大,上、下表面的电势差U越大 |
B.k越大,传感器灵敏度()越高 |
C.若图中霍尔元件是电子导电,则下板电势高 |
D.电流越大,上、下表面的电势差U越小 |
答案
解析
试题分析:根据左手定则可判断电子向下板偏转,所以上板电势高;很据,解得U=Bdv,所以磁感应强度B越大,上、下表面的电势差U越大;电流越大,则电子定向移动的速率v越大,上、下表面的电势差U越大;由于B=B0+kz,所以U=(B0+kz )dv,所以,所以k越大,传感器灵敏度()越高。选项AB正确。
核心考点
试题【霍尔式位移传感器的测量原理如图所示,有一个沿z轴方向均匀变化的匀强磁场,磁感应强度B=B0+kz(B0、k均为常数)。将霍尔元件固定在物体上,保持通过霍尔元件的】;主要考察你对磁通量等知识点的理解。[详细]
举一反三
A.在匀强磁场中,穿过一个面的磁通量等于磁感应强度与该面面积的乘积 |
B.在匀强磁场中,a线圈的面积比b线圈的大,则穿过a线圈的磁通量一定比穿过b线圈的磁通量大 |
C.把一个线圈放在M、N两处,若放在M处时穿过线圈的磁通量比放在N处时大,则M处的磁感应强度一定比N处大 |
D.同一线圈放在磁感应强度大处,穿过线圈的磁通量不一定大 |
A.当线圈在如图所示位置时,穿过线圈的磁通量大小Φ=BS |
B.当线圈从图示位置转过900时,穿过线圈的磁通量大小Φ=0 |
C.当线圈从图示位置转过1800的过程中,穿过线圈的磁通量的变化量大小ΔΦ= 0 |
D.当线圈从图示位置转过3600的过程中,穿过线圈的磁通量的变化量大小ΔΦ="BS" |
A.0 | B.0.24Wb |
C.0.18 Wb | D.0.3Wb |
A. | B. | C. | D.0 |
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