题目
题型:不详难度:来源:
A.电子枪发射能力减弱,电子数减少 |
B.加速电场的电压过高,电子速率偏大 |
C.偏转线圈电流增大,偏转磁场增强 |
D.偏转线圈电流过小,偏转磁场减弱 |
答案
解析
解:电子在加速电场中:根据动能定理得qU=mv2,得到v=,电子进入磁场过程:由evB=m得,电子的轨迹半径为r==,设磁场的半径为R,电子经过磁场后速度的偏向角为θ,根据几何知识得:tan
本题考查带电粒子的加速过程,根据动能定理求粒子得到的速度,带电粒子在磁场中根据牛顿第二定律求半径,由几何知识分析偏转角度,都是基本的思路.
核心考点
试题【电视机的显像管中,电子束的偏转是用磁偏转技术实现的。电子束经过加速电场后,进入一圆形匀强磁场区,如图所示。磁场方向垂直于圆面,磁场区的中心为O,半径为r。当不加】;主要考察你对洛伦兹力等知识点的理解。[详细]
举一反三
A.物体的运动由υ减小到零所用的时间等于mυ/μ(mg+qυB) |
B.物体的运动由υ减小到零所用的时间小于mυ/μ(mg+qυB) |
C.若另加一个电场强度为μ(mg+qυB)/q、方向水平向左的匀强电场,物体做匀速运动 |
D.若另加一个电场强度为μ(mg+qυB)/q、方向竖直向上的匀强电场,物体做匀速运动 |
(1)区域II中磁场的磁感应强度大小;
(2)Q点的坐标。
A.带电粒子a和b在B1磁场中偏转半径之比为3∶4 |
B.带电粒子a和b在B1磁场中偏转半径之比为1∶1 |
C.带电粒子a和b的质量之比为5︰7 |
D.带电粒子a和b的质量之比为7︰5 |
(1)若使电子源发射的电子有可能到达挡板,则发射速度最小为多大?
(2)如果电子源S发射电子的速度为(1)中的2倍,则挡板上被电子击中的区域范围有多大?
A.2:1 | B.1:2 | C. | D. |
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