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题目
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A、B、C、D、E、F、G七种短周期主族元素的原子序数依次增大,D、G同主族,A与B、C、D能形成电子数相同的二种常见分子,E、F的原子序数之和是D的原子序数的3倍,D、E、F的简单离子具有相同电子层结构.
(1)三种元素的名称.B______,D______,F______.
(2)A与D、A与G均可形成18e-的化合物.两种化合物在水溶液中反应的化学方程式为:______
(3)A、D、E三种元素中的两种或三种形成的物质中,含有非极性键的离子化合物的电子式为:______;只含离子键的化合物的电子式为:______.
(4)E离子的半径______(填“大于”“小于”或“等于”) F离子的半径;E 和F元素最高价氧化物对应的水化物之间反应的离子方程式为:______.
(5)写出由上述各种元素形成的粒子中与BC-电子数相等的三种分子的化学式______、______、______.
答案
由短周期主族元素的原子序数依次增大,A与B、C、D能形成电子数相同的二种常见分子,由常见的10e-和18e-微粒可知,则A为氢,B为碳、C为氮、D为氧;D、G同主族,则G为硫;E、F的原子序数之和是D的原子序数的3倍,D、E、F的简单离子具有相同电子层结构,由
8×3
2
=12可知,E为钠,F为铝,
(1)B为碳,D为氧,F为铝,故答案为:碳;氧;铝;
(2)A与D、A与G均可形成18e-的化合物为H2O2、H2S,H2O2具有氧化性,H2S具有还原性,二者发生氧化还原反应为H2O2+H2S=S↓+2H2O,
故答案为:H2O2+H2S=S↓+2H2O;
(3)A、D、E三种元素中的两种或三种形成的物质有Na2O2、Na2O、NaOH等,含有非极性键的离子化合物为Na2O2,其电子式为

魔方格

,只含离子键的化合物为Na2O,其电子式为

魔方格

,故答案为:

魔方格



魔方格


(4)E、F的简单离子具有相同电子层结构,原子序数大的离子半径小,则铝离子的半径小,E 和F元素最高价氧化物对应的水化物分别为NaOH、Al(OH)3,发生的离子反应为
Al(OH)3+OH-=AlO2-+2H2O,故答案为:大于;Al(OH)3+OH-=AlO2-+2H2O;
(5)BC-电子数为6+7+1=14,N2的电子数为7×2=14,CO的电子数为6+8=14,C2H2的电子数为6×2+1×2=14,故答案为:N2;CO;C2H2
核心考点
试题【A、B、C、D、E、F、G七种短周期主族元素的原子序数依次增大,D、G同主族,A与B、C、D能形成电子数相同的二种常见分子,E、F的原子序数之和是D的原子序数的】;主要考察你对键参数——键能、键长与键角等知识点的理解。[详细]
举一反三
现有下列短周期元素性质的数据:
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    元素编号
元素性质
原子半径
(10-10m)
0.741.021.521.100.991.860.751.43
最高或最
低化合价
+6+1+5+7+1+5+3
-2-2-3-1-3
A、B、C、D、E五种短周期元素,其原子序数依次增大,而原子半径按A、C、B、E、D顺序依次增大.A、D同主族;B、D、E三种元素原子的最外层电子数之和为10;E的单质可做半导体材料;C与E两元素形成的化合物可与A、C、D形成的化合物Y发生反应;B元素的气态氢化物与其最高价氧化物的水化物可以发生反应生成化合物M.1molM中含有42mol电子.回答下列问题:
(1)E元素在周期表中的位置______;化合物M中含有的化学 键类型有______.
(2)比较B、C、E形成的气态氢化物的稳定性由强到弱的顺序是(用化学 式表示):______;写出C与A形成的18e-化合物的电子式______;
(3)用电子式表示A2C的形成过程:______
(4)写出C与E两元素形成的化合物与Y溶液反应的离子方程式:______;写出题中生成M的化学方程式______
(5)以铂作电极,以Y溶液作为电解质溶液,A、C元素的单质分别在两电极上发生原电池反应,则负极上的电极反应式为______,若标准状况下,正极消耗3.36L气体,则通过外电路的电子是______个.
同一周期的两主族元素A、B能形成AB2型离子化合物,A、B元素在周期表中的族序数可能为(  )
A.ⅡA、ⅦAB.IA、ⅦAC.ⅣA、ⅥAD.IA、VA
X、Y、Z是周期表中相邻的三种短周期元素,X和Y同周期,Y和Z同主族,三种元素原子的最外层电子数之和为17,核内质子数之和为31,则X、Y、Z是(  )
A.Mg、Al、SiB.Li、Be、MgC.N、O、SD.P、S、O
短周期元素X、Y、Z,它们的原子最外层电子数依次为1、6、6,Z位于Y的上一周期,则X、Y、Z三种元素形成的某种化合物的化学式可能为(  )
A.XY2Z3B.X2YZ4C.X3YZ4D.X3YZ3