题目
题型:不详难度:来源:
(1)镓的基态原子的电子排布式是______.
(2)比较二者的第一电离能:As______Ga(填“<”、“>”或“=”).
(3)砷化镓晶胞中所包含的砷原子(白色球)个数为______,与同一个镓原子相连的砷原子构成的空间构型为______.
(4)砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3在700℃时制得.(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为______.
(5)N、P、As处于同一主族,其氢化物沸点由高到低的顺序是______.(用氢化物分子式表示)
(6)下列说法正确的是______(填字母).
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B.GaP与GaAs互为等电子体
C.电负性:As>Ga D.砷化镓晶体中含有配位键.
![魔方格](http://img.shitiku.com.cn/uploads/allimg/20200118/20200118174819-74091.png)
答案
故答案为:1s22s22p63d104s24p1;
(2)As和Ga处于同一周期,而处于VA的As外围电子处于半满的较稳定结构,故As的第一电离能大于Ga,
故答案为:>;
(3)根据“均摊法”:白色球个数为6×
1 |
2 |
1 |
8 |
(4)由于Ga原子周围只有3对成键电子对,故其杂化方法为sp2,故答案为:sp2;
(5)由于NH3分子间存在氢键,所以NH3的沸点最高,由于AsH3的相对分子质量大于PH3,故AsH3的沸点高于PH3,
故答案为:NH3>AsH3>PH3;
(6)A.NaCl晶体中阴阳离子的配位数为6,而砷化镓晶胞中中阴阳离子的配位数为8,二者晶体结构不同,故A错误;
B.根据等电子体的概念可知二者价电子数相等,属于等电子体,故B正确;
C.周期表同周期元素从左到右元素的电负性逐渐增大,则As>Ga,故C正确;
D.由于Ga原子最外层只有3个电子,而每个Ga原子与4个As原子成键,因此其中一个共价键必为配位键,故D正确.
故答案为:BCD.
核心考点
试题【2010年上海世博会场馆大量的照明材料或屏幕都使用了发光二极管(LED).目前市售LED晶片材质基本以GaAs(砷化镓)、AlGaInP(磷化铝镓铟)、InGa】;主要考察你对电离能等知识点的理解。[详细]
举一反三
A.3px=3pz | B.4s>3d | C.4p>3p | D.2s<2p |
A.N:1s22s22p3 | B.S2-:1s22s22p63s23p6 |
C.Na:1s22s22p53s2 | D.Si:1s22s22p63s23p2 |
研究物质结构是为更好的掌握物质的性质.
(1)第四周期过渡元素在性质上存在一些特殊性,在前沿科技中应用广泛.
①铜为第四周期过渡元素,其基态原子电子排布式为______,请解释金属铜能导电的原因______.
②金属镍粉在CO气流中轻微加热,生成液态Ni(CO)4分子.423K时,Ni(CO)4分解为Ni和CO,从而制得高纯度的Ni粉.试推测Ni(CO)4易溶于下列______.
a.水 b.四氯化碳 c.苯 d.硫酸镍溶液
③在硫酸铜溶液中通入过量的氨气,小心蒸发,最终得到深蓝色的[Cu(NH3)4]SO4晶体,晶体中含有的化学键除普通共价键外,还有______.
(2)已知:下表是14种元素的电负性的数值(用X表示).