题目
半导体中的STI是什么意思
提问时间：2021-03-15
答案
shallow trench isolation
浅沟道隔离
特点：
能实现高密度的隔离,适合于深亚微米器件和DRAM等高密度存储电路.
一般在器件制作之前进行,热预算小.
STI技术工艺步骤：首先,类似LOCOS,依次生长SiO2淀积Si3N4涂敷光刻胶,光刻去掉场区的SiO2和Si3N4.其次,利用离子刻蚀在场区形成浅的沟槽.然后,进行场区注入,再用CVD淀积SiO2填充沟槽.最后,用化学机械抛光技术去掉表面的氧化层,使硅片表面平整化.
工艺复杂,需要回刻或者CMP
浅沟道隔离
特点：
能实现高密度的隔离,适合于深亚微米器件和DRAM等高密度存储电路.
一般在器件制作之前进行,热预算小.
STI技术工艺步骤：首先,类似LOCOS,依次生长SiO2淀积Si3N4涂敷光刻胶,光刻去掉场区的SiO2和Si3N4.其次,利用离子刻蚀在场区形成浅的沟槽.然后,进行场区注入,再用CVD淀积SiO2填充沟槽.最后,用化学机械抛光技术去掉表面的氧化层,使硅片表面平整化.
工艺复杂,需要回刻或者CMP
举一反三
已知函数f（x）=x，g（x）=alnx，a∈R．若曲线y=f（x）与曲线y=g（x）相交，且在交点处有相同的切线，求a的值和该切线方程．
我想写一篇关于奥巴马的演讲的文章,写哪一篇好呢?为什么好
奥巴马演讲不用看稿子.为什么中国领导演讲要看?
想找英语初三上学期的首字母填空练习……
英语翻译
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