题目
电子电路基础题.帮下小弟.
第48题 (2.0) 分
在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于( )
A、晶体缺陷
B、温度
C、杂质浓度
D、掺杂工艺
第49题 (2.0) 分
半导体中的少数载流子产生的原因是( )
A、外电场
B、内电场
C、掺杂
D、热激发
第50题 (2.0) 分
测得NPN型三极管三个电极的电位分别为UC=3.3V,UB=3.7V,UE=3V,则该管工作在( )
A、放大区
B、截止区
C、饱和区
D、击穿区
第48题 (2.0) 分
在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于( )
A、晶体缺陷
B、温度
C、杂质浓度
D、掺杂工艺
第49题 (2.0) 分
半导体中的少数载流子产生的原因是( )
A、外电场
B、内电场
C、掺杂
D、热激发
第50题 (2.0) 分
测得NPN型三极管三个电极的电位分别为UC=3.3V,UB=3.7V,UE=3V,则该管工作在( )
A、放大区
B、截止区
C、饱和区
D、击穿区
提问时间:2021-03-05
答案
第48题 多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度,少数载流子的浓度与温度密切相关
第49题 这个我认为应该选掺杂
第50题 该管工作在放大区
第49题 这个我认为应该选掺杂
第50题 该管工作在放大区
举一反三
已知函数f(x)=x,g(x)=alnx,a∈R.若曲线y=f(x)与曲线y=g(x)相交,且在交点处有相同的切线,求a的值和该切线方程.
我想写一篇关于奥巴马的演讲的文章,写哪一篇好呢?为什么好
奥巴马演讲不用看稿子.为什么中国领导演讲要看?
想找英语初三上学期的首字母填空练习……
英语翻译
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