题目
请问电容公式C=Es/4πKd 是如何推导出来的?
提问时间：2020-07-18
答案
C=s/4πKd .
首先
C=Q/U
假设电容器内部的电场是E,那么
U=Ed,d是极板的距离
根据高斯定理得到
sigma/e=E
e=1/4πK
sigma是电容器的面电荷密度
那么
Q=sigma×s=Es/4πK
所以
C=Q/U=s/4πKd
首先
C=Q/U
假设电容器内部的电场是E,那么
U=Ed,d是极板的距离
根据高斯定理得到
sigma/e=E
e=1/4πK
sigma是电容器的面电荷密度
那么
Q=sigma×s=Es/4πK
所以
C=Q/U=s/4πKd
举一反三
已知函数f（x）=x，g（x）=alnx，a∈R．若曲线y=f（x）与曲线y=g（x）相交，且在交点处有相同的切线，求a的值和该切线方程．
我想写一篇关于奥巴马的演讲的文章,写哪一篇好呢?为什么好
奥巴马演讲不用看稿子.为什么中国领导演讲要看?
想找英语初三上学期的首字母填空练习……
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