题目
温度对杂质半导体电阻率的影响
书上对温度对N型半导体电阻率的影响的描述大致分为先下降后上升再下降.并且分为了低温区,饱和区,本征区.对于这个趋势我不知道怎么解释,并且三个分区是怎么回事
书上对温度对N型半导体电阻率的影响的描述大致分为先下降后上升再下降.并且分为了低温区,饱和区,本征区.对于这个趋势我不知道怎么解释,并且三个分区是怎么回事
提问时间:2020-07-13
答案
应该是这样的:
1 对于AB段而言,此时温度较低,温度对于杂质的影响大于对半导体本身的影响.此时半导体中的载流子主要是由杂质电离出的.温度上升时,载流子数量上升,电阻率下降.
2 对于BC段而言,此时,杂质电离完成,即已饱和.但本征激发不显著,载流子影响降低,晶格振动的影响变大,电阻率随温度上升.
3 对C点以后,和本征半导体类似,此时本征激发成为主要因素,故电阻率随温度上升而下降.
1 对于AB段而言,此时温度较低,温度对于杂质的影响大于对半导体本身的影响.此时半导体中的载流子主要是由杂质电离出的.温度上升时,载流子数量上升,电阻率下降.
2 对于BC段而言,此时,杂质电离完成,即已饱和.但本征激发不显著,载流子影响降低,晶格振动的影响变大,电阻率随温度上升.
3 对C点以后,和本征半导体类似,此时本征激发成为主要因素,故电阻率随温度上升而下降.
举一反三
已知函数f(x)=x,g(x)=alnx,a∈R.若曲线y=f(x)与曲线y=g(x)相交,且在交点处有相同的切线,求a的值和该切线方程.
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