题目
电子排布式的问题
为什么Cr的电子排布式是3d5 4s1（外围）
而Si的电子外围排布式是3s23p2 而不是3s1 3p3(这样半充满不是更好）
为什么Cr的电子排布式是3d5 4s1（外围）
而Si的电子外围排布式是3s23p2 而不是3s1 3p3(这样半充满不是更好）
提问时间：2020-05-08
答案
举一反三
我想写一篇关于奥巴马的演讲的文章,写哪一篇好呢?为什么好
奥巴马演讲不用看稿子.为什么中国领导演讲要看?
想找英语初三上学期的首字母填空练习……
英语翻译
1,人们染上烟瘾,最终因吸烟使自己丧命.
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